氧化銦錫（ITO）靶材是一種常用于光電子器件和顯示器件制備的關(guān)鍵材料，具有優(yōu)良的透明性和導(dǎo)電性，可用于制備透明導(dǎo)電薄膜與透明電極，廣泛應(yīng)用于液晶顯示器、觸摸屏、光電二極管以及太陽(yáng)能電池，有助于提高電池的光吸收和電能轉(zhuǎn)化效率。氧化銦錫（ITO）靶材以其高透明性和導(dǎo)電性能，在現(xiàn)代電子、光學(xué)和太陽(yáng)能領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用，推動(dòng)了各種高性能電子器件的發(fā)展。
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品名 |
氧化銦錫（ITO）靶材 |
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成分 |
In2O3:SnO2 (90:10 ±0.5wt), 其他比例按照客戶要求 |
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外觀 |
黑色或深灰色 |
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純度(%) |
≥ 99.99% |
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相對(duì)密度(%) |
≥ 99.5% |
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制造規(guī)格(mm) |
最大尺寸1200*300平面靶 Φ135*Φ152-162*L400-1000mm圓筒靶 |
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電阻率(mΩ·cm) |
≤1.8×10-4Ω·cm |
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雜質(zhì)≤ (ppm) |
Fe |
Al |
Si |
Ni |
Cu |
Pb |
Cr |
Sum |
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15 |
10 |
15 |
5 |
5 |
5 |
5 |
100 |
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